努力拼搏 2星
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度
18小时前
烙下背影 4星
共回答了481个问题 评论
IGBT是非触摸芯片,芯片参数配置是输入功率24瓦,输出电压5伏,主频速率32b,开关频率80KHz。输入电压范围为2.8V~5.6V,输出信号幅度:500mV支持HDMI1.4,支持DV11.0,支持HDCP1.4
16小时前
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