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半导体tf工艺就是半导体薄膜制备工艺。
薄膜生长是指采用物理或化学方法使物质（原材料）附着于衬底材料表面的过程，根据工作原理不同，薄膜生长的方法有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延三大类
在微米时代CVD均采用多片式的常压化学气相沉积设备（APCVD），结构比较简单，腔室工作压力约为1atm。但随着晶圆尺寸不断增大、技术节点不断进步，CVD设备也不断改进，其技术先后经历了微米时代的常压化学气相沉积（APCVD）、亚微米时代的低压化学气相沉积（LPCVD）、90纳米时代的等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）。
从65nm时代开始，在半导体制造过程中由于源区和漏区采用选择性SiGe外延工艺，提高了PMOS空穴迁移率；在45nm时代为了减小器件漏电流，新的高介电材料引入及金属栅工艺的应用，由于膜层厚度非常薄，通常在纳米量级内，因此不得不引入原子层沉积（ALD）工艺，以满足对薄膜沉积的控制和薄膜均匀性的需求。
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