骁龙630和835对比

1、骁龙630采用了2.2GHz+1.8GHz的大小核A53架构，而骁龙626则采用2.2GHz的平行八核心A53架构——对于跑分软件来说，这样的变化是微乎其微的。

2、骁龙630的Adreno 508 GPU性能相比前作Adreno 506提升高达30%;

3、骁龙630在GeekBench 4的测试中，这个分数值的提升已经超过了50%，简直是活生生的吊打。

4、骁龙630在场景测试汇中有着非常高效稳定的表现，不但画面流畅、操作跟手，还能让这样的状态一直持续30分钟。

高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。

2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。

核心

骁龙835

骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2Cache，GPU为Adreno540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。[1]

快速充电

新的骁龙835处理器，支持QuickCharge4快速充电，比起QuickCharge3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。

QuickCharge4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC4.0还集成了对USB-C和USB-PD（PowerDelivery）的支持，适配范围更广泛。[1]

效率提升

高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。[2]

630是一款14纳米，这款处理器和高通骁龙625差不多，高通骁龙835是17年旗舰机的处理器，和630隔着十万八千里，835可以吊打630