反常霍尔效应原理

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外加垂直磁场，可激发半导体的霍尔效应。若赋予强磁场则获得显著霍尔效应，此称反常霍尔效应。

若通过掺杂工艺调整半导体的电子能带结构，赋予超低温超导条件，产生所谓的自发磁场，可显著降低霍尔电阻而改善微电子电路的浪涌或热损弊端。

所谓的量子霍尔效应，只是一种说法。本来，只要电子载流子在运动，就必然会激发霍尔磁场中的场介质产生光量子，作为传递电磁作用力的载体，即“电磁信号交换的工质”。简言之，光量子=工质，普通霍尔效应也是如此。

如果试图利用“1个光量子”的n个态函数作为量子计算的“n个信息单元”，这是徒劳的。

理由是：某光量子的态函数是唯一确定的，虽然，可用n个特征变量(如角动量、波长、频率、矢径)异曲同工来表示“唯1个独立态”。但是，这些特征变量不存在叠加态，即，不存在“n个独立态”。

这与电子计算机用“0&1”或“断&通”的两个“独立态”作为信息单元，是截然不同的。

可这样类比。假设，潘金莲的独立态是一个光量子的态函数，潘金莲的特征变量：a基因序列、b指纹特征、c人脸标识，可以分别等效代换代表潘金莲的独立态，abc既不是三个独立态，也不存在叠加的独立态。

总之，不管清华大学专家们发明了什么量子反常霍尔元件，想改善电子计算机的电路环境，没毛病。但是想要搞量子计算机，不可能。

8小时前

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