锗硅工艺和cmos区别

砷化镓（GaAs）元件通常比CMOS元件要大，但因为其中的载流子移动速度更快，所以元件速度也更快。虽然砷化镓不一定能取代硅的位置，但硅锗合金的载流子迁移率也很高，并且它同硅的处理工艺互相兼容。

   硅锗是一种硅基材料，是标准互补金属氧化半导体(CMOS)的替代技术。将硅和锗集成在一起，可以CMOS技术的低廉成本获得砷化镓(Gallium Arsenide)的性能，具有硅的超低噪音和超低失真特性，特别适用于高性能电路产品。

CMOS 是一种晶体管，晶体管的概念是区别与电子管

早些时候，电子信号要发射出去，需要放大，用的是真空玻璃的电子放大器，有控制栅极，有阴极电子发射端，有阳极收集端（收集电子的）

后来，1947年，咱们集成电路的发明人，用晶体实现了电信号的放大，用的是锗晶体做成的半导体器件，就叫晶体管

晶体管，有两种模式，一种是单极型晶体管，一种载流子参与工作，另一种是双极型晶体管，两种载流子参与工作

单极型的晶体管，也叫场效应管，场效应，就是利用电场效应改变电荷分布，场效应晶体管，就是利用电压（电场），改变了工作电流的大小，有结型场效应管，和金属氧化物半导体型场效应管（MOSFET）

双极型晶体管，就是两个PN结共同作用，主要分为PNP型、NPN型

继续，MOSFET，继续分类，就是N-MOSFET和P-MOSFET，这俩器件组合在一起叫做推挽型MOSFET，也叫CMOS，CMOS=NMOS+PMOS

无论是做双极晶体管，还是单极晶体管，可选的材料体系有硅、锗、锗硅合金、砷化镓化合物、铟磷化合物...等等