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三星全球首秀了3nm芯片，果然采用的是GAA工艺，这是一颗3nm的 SRAM芯片。容量达到了256GB，但面积只有56平方毫米。
更重要的是写入电压只要0.23V，这对于芯片来讲，漏电现象将大大的改善，毕竟漏电已经是芯片功耗的最大杀手了，目前漏电所产生的功耗占了芯片功耗的50%以上，台积电曾经更是因为漏电都有一个“台漏电”的称号。
按照三星的说法，3GAE可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。而台积电公布自己的3nm的FinEFT工艺，是管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。很明显三星的GAA晶体管技术更胜一筹。
三星的3nm芯片将于2022年量产，台积电的3nm工艺也将于明年量产，这就真的是神仙打架了，看谁的芯片更快量产，性能更棒了，如果三星真的能够更领先，改写全球代工市场格局的机会，也许就真的到了。
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