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氮化镓
第三代半导体材料、氮和镓的化合物
计算化学数据
性质与稳定性
合成方法
材料简介
材料特性
材料生长
材料应用
缺点和问题
优点与长处
主要问题
国家标准
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
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