什么是igbt

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IGBT指晶体管功率器件(Insulated-gate bipolar transistor),它是一种可控硅功率半导体器件,可以承受高压和高电流。IGBT可以被认为是电晕晶体管和MOSFET的结合体,具有高压能力和高开关速度。IGBT结构具有一个PN结和一个MOSFET,其操作基于控制MOSFET栅极电压来控制其PN结的导通和截止。

IGBT能够在低电压下进行控制,在高电流运行时也不需要高功耗,因此在高频开关功率应用中具有广泛的用途,如电机驱动、电源、交流变频器、逆变器等。其主要特点如下:

1. 低功耗:IGBT的核心部件是金属氧化物半导体场效应管,控制电流的元件,可以实现大电流低功耗控制。

2. 高速度:IGBT具有较高的开关速度,能够快速且准确地控制电流.

3. 可控性:IGBT基于场效应管控制电压,具有较高的可控特性和稳定性,能够满足复杂的控制需求。

4. 高压性能:IGBT可以承受几千伏的高电压,广泛应用于高压领域。

7小时前

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