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光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。
在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。
简单的说，在光刻过程中，我们通过光源，如：紫外光，将线路图投射在光刻胶上，通过光蚀刻，使得线路图清晰的出现在硅晶片上，再通过药水洗掉未蚀刻的部分，后经刻蚀工艺最终呈现晶体管结构，完成芯片封装前制造。
因此，光刻胶的主要功能就是将设计线路投射在硅片上的媒介，工艺有点像我们刻印章。
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