小弟想知道ESD和EOS的相关知识

EOS：Electrical?Over?Stress-指所有的过度电性应力。超过其最大指定极限后，器件功能会减弱或损坏。

ESD：Electrical?Static?Discharge-静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。

EOS通常产生于电源测试装置，其过程持续时间可能是几微秒到几秒。由于静态电荷引起，

ESD属于EOS的特例，由于静态电荷引起。其过程持续时间为几皮秒到几纳秒，其可见性不强。

ESD:不同静电电位的两个物体之间的电荷转移 EOS：过电烧毁 （过电压，过电流 ，过功率） 区别：

EOS低电压，持续时间长，能量低

ESD高电压（4KV），时间短（ns），电流上升时间很小，瞬间的电流经常达到1A以上

ESD一般在IC的某个端口，有的损伤比较明显，开封后在金相下很明显的看出损伤痕迹，比如在保护网络电力部分；有的需要借助SEM的二次电子去确定，因为电子累积的关系可以看见损伤点；其实比较难分析的是在光学和电子显微镜下都看不到的损伤，如果有又没有OBIRCH等仪器的化，可以借助液晶检测来判断损伤点位置，当在液晶下定位到失效区域后，可以选择去掉钝化层和部分金属层来定位到底下的ESD损伤点。我觉得定位损伤点才是ESD分析中的难点。

EOS的碳化面积较大，一般过功率烧毁会出现原始损伤点且由这点有向四周辐射的裂纹，过电压损伤一般在有源区的边缘位置，多发生在电源引脚上。